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OBC DC-DC碳化硅SiC MOSFET

更新時間：2025-08-31 05:20:02 責任編輯：未填 瀏覽數(shù)：416 環(huán)球冶金網(wǎng) 移動網(wǎng)頁版

核心提示：碳化硅MOSFET產(chǎn)品詳情碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。新一代采用輔助源極連接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以進一步降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表

OBC DC-DC碳化硅SiC MOSFET：http://www.conform2scorm.com/news/87884416.html
 碳化硅MOSFET
產(chǎn)品詳情
 
 
 

 

碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。

新一代采用輔助源極連接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以進一步降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

（V）

 ID

(A)

 RDS(on)

(m?)

Qg

(nC)

 

Eon

(µJ)

 

Eoff

(µJ)

 Package Name

 
B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 樣品申請
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

 TO-247-3

樣品申請
B1M080120HK 1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 樣品申請
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

 TO-247-3

樣品申請
B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 樣品申請

 
 
 
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發(fā)中心。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，核心成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的十多位博士。
 
       基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產(chǎn)品也將逐步完成該項測試?；景雽w碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領域。
 
       基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發(fā)中心，是深圳第三代半導體研究院發(fā)起單位之一，廣東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學研融合技術(shù)創(chuàng)新服務體系第三代半導體協(xié)同創(chuàng)新中心，公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎等榮譽。
 
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